Cerabyte，一家德国科技初创公司，近期发布了一些令人瞩目的声明，关于其新一代存储解决方案。该方案采用独特的陶瓷“纳米层”作为构建模块，有望彻底改变以往的数据存储方式。
哈佛研究人员使用染料存储数据有望实现长期数据存储。在ACS Central Science 的一篇 新论文 中，George Whitesides 实验室的研究人员 描述了一种新的存储方法，该方法使用七种市售荧光染料的混合物来保存数据文件。染料由喷墨打印机滴下并用显微镜读取，显微镜可以检测每种染料发出的不同波长的光。然后，研究人员将分子中的二进制信息解码回文件、书籍、照片、视频或其他任何可以数字存储的东西。
美国斯坦福大学研究人员取得相变存储器研究新进展，将促进快速、节能的计算技术开发。相变存储器技术被认为是一种有潜力的数据存储技术，具有远超传统硬盘存储技术的速度，但其功耗相对较高。
剑桥石墨烯中心的研究人员表明，石墨烯可用于超高密度硬盘驱动器 (HDD)，与当前技术相比，其性能可提高十倍。该研究发表在 Nature Communications 上，是与埃克塞特大学、印度、瑞士、新加坡和美国的团队合作进行的。
随着兰卡斯特物理学家的一次成功实验，一种新型通用计算机存储器ULTRARAM™朝开发迈进了重要一步。这些新结果证实了ULTRARAM™的惊人特性，具有快速高效的非易失性存储器的潜力，并具有高耐久性。
磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。
ARM 研究院（Arm Research）的 7 名工程师本月初成立了一家创业公司 Cerfe Labs，尝试商业化过去五年与 Symetrix 合作研发的实验性内存技术 CeRAM（correlated electron RAM）。
如今，全世界每年产生的数字数据以泽字节（2^70字节）来计算，相当于每秒钟为数亿册图书提供数据。产生的数据量还在持续增长。如果现有的技术停止发展，那么到2040年，目前全球全部的耗电量都将用于数据存储。近日，日本东北大学与法国洛林大学的研究人员报告了一项创新技术，它将导致数据存储的耗电量大幅降低。
据外媒报道，将数据存储在磁带上，听起来可能会让人觉得很复古，但实际上，由于磁带的数据密度很高，它仍然被广泛用于存档。现在，东京大学的研究人员使用一种新材料制作了磁带，这种材料可以实现更高的存储密度和更强的抗干扰能力，同时还可以使用高频毫米波向磁带写入数据的新方法。
忆阻器存储技术被誉为下一代边缘计算最有前途的候选技术之一，它有望使全世界的计算机发生革命性变化。由于该技术在高效内存计算，机器学习和神经形态计算中的应用，因此在替代闪存方面引起了广泛的关注。实现一个模型以准确预测忆阻器存储技术的现象至关重要，因为这将使工程师能够设计行为更高效的系统，以制造出更便宜，更快的存储器。
由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究小组提出了一种新的物理现象，该现象有望将指甲大小的存储芯片的存储容量提高1000倍。研究小组认为，这将为直接集成到硅技术中的最终致密的逐单元铁电开关设备提供意想不到的机会。
随着磁阻式随机存取存储器MRAM愈来愈火热，成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元，在2020年7月又获得850万美元融资的挹注，让其融资总额达到1.58亿美元。
研究人员首次在不同铁-铂薄膜上试验研究完全结晶的FePt层行为与用于HAMR存储器的FePt薄膜有何不同。结果表明通过磁各向异性可实现强大的高性能数据存储，这对热辅助磁记录HAMR技术至关重要。
