革命性ULTRARAM™存储芯片迈出第一步具有DRAM和闪存的所有优点

随着兰卡斯特物理学家的一次成功实验，一种新型通用计算机存储器ULTRARAM™朝开发迈进了重要一步。这些新结果证实了ULTRARAM™的惊人特性，具有快速高效的非易失性存储器的潜力，并具有高耐久性。

目前，动态RAM(DRAM)和闪存这两种主要类型的存储器具有互补的特性和作用：

• DRAM速度很快，因此可用于活动（工作）内存，但它是易失性的，这意味着在断电时信息会丢失。
• 闪存是非易失性的，可以让你把数据放在口袋里，但速度很慢，而且会磨损。它非常适合用于数据存储，但不能用于工作内存。

“通用存储器”是一种非常可靠地存储数据但也可以轻松更改的存储器；到现在为止，人们普遍认为这是无法实现的。

Lancaster团队通过利用称为共振隧穿的量子力学效应解决了通用存储的悖论，通过施加较小的电压即可使势垒从不透明切换为透明。

他们的新型非易失性RAM（称为ULTRARAM™）是所谓的“通用存储器”的有效实施方案，它具有DRAM和闪存的所有优点。

在发表于IEEE Transactions on Electron Devices的最新工作中，研究人员首次将ULTRARAM™器件集成到小型（4位）阵列中。他们通过实验验证一种正在申请专利的新型存储器架构，该架构将构成未来ULTRARAM™存储器芯片的基础。

他们还修改了器件设计，以充分利用谐振隧道的物理特性，使器件的速度比第一个原型快了2000倍，并且编程/擦除循环寿命至少比闪存好十倍，而数据保留率却丝毫不受影响。获取更多前沿科技 研究访问：https://byteclicks.com

你可能感兴趣的文章：

• 基于蚕丝蛋白的高容量生物存储技术研究获进展
• 科学家开发石墨烯固态超级电容以满足日益增长能源存储需求
• 研究人员制造出一种基于铁电隧道结技术的新型存储器技术
• 光致变色铋配合物：新一代的光学存储材料
• 中国科大实现高性能可集成固态量子存储器
• 研究人员开发使用二维分层结构材料的存储设备有望加速下一代数据存储器件商业化进程
• 新一代数据存储技术通过国家新一代载人飞船进行太空试验
• 通过磁各向异性实现稳健的高性能数据存储，这对热辅助磁记录HAMR技术至关重要
• 节能服务器：数据存储2.0
• 研究人员揭示控制电子自旋方向新机制或实现更高密度更高效数据存储
• 科学家发明二维材料代替硅芯片存储数据，写入速度比现有技术快100倍
• 柔性晶体管存储器的最新进展
• 休斯敦大学发现一种新材料为下一代数据存储提供了新途径
• 三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命
• 科研人员大幅提高用于脉冲功率系统的陶瓷电容器储能密度
• 科学家推出快充超级电容技术
• 基于范德华异质结高性能器件应用的最新综述
• 新兴存储MRAM：磁阻式随机存取存储器商业化进程
• 科学家发现新物理现象有望将存储芯片容量提高1000倍
• 适用于下一代存储设备的高级NVMe控制器技术：“ OpenExpress”免费提供给世界研究机构使用
• 科学家已经开发出用于存储和传输量子信息的拓扑超导体材料
• 微软研究院演示全息存储工作原理 将成云技术的未来
• Essentium与ECD合作开发工业用3D打印的智能存储系统
• 新型磁带技术使数据存储抗干扰能力更强
• 研究人员开发新型数据存储技术，耗电量大幅降低
• 上海微系统所超导存储器件研究取得进展
• 微型高容量 “原子电阻器 “将数据存储在单原子开关中
• 复旦研究团队发明集成存储计算的铁电晶体管技术
• UCI正在开发一种合成DNA提供更强大的DNA数据存储功能
• 科学家设计出一种新型DNA数据存储方法:将数据写入活体细菌的DNA