创业公司尝试商业化实验性内存技术 CeRAM

创业公司尝试商业化实验性内存技术 CeRAM
相关电子存储单元由夹在两个金属电极[黑色]之间的碳掺杂氧化镍材料[灰色,中心]组成。它内置在硅芯片上方的金属层中。

ARM 研究院(Arm Research)的 7 名工程师本月初成立了一家创业公司 Cerfe Labs,尝试商业化过去五年与 Symetrix 合作研发的实验性内存技术 CeRAM(correlated electron RAM)。

CeRAM 有望成为静态随机存取存储器(SRAM)的非易失替代。CeRAM 能在无电源供应的情况下保存数据, 被认为比 SRAM 更小。大部分半导体物理学是基于一个假设:你可以个别的处理电子。但半个多世纪前 Neville Francis Mott 发现某些材料中电子被迫聚集一起的时候会产生奇特的现象。

前 ARM 研究院研究员、现在的 Cerfe Labs 首席技术官 Greg Yeric 称,其中之一是被称为 Mott 转变的金属态和绝缘态之间的可逆转变。他们发现一种碳掺杂的氧化镍材料会在导电体和绝缘体之间转变,而且两边都是非易失性的。他们认为 CeRAM 能成为 SRAM 的优秀替代,而且它的速度更快,写入数据能达到 2 纳秒脉冲宽度,与处理器的 L3 缓存相当。

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