新兴存储MRAM：磁阻式随机存取存储器商业化进程

xiaoyong 8月 19, 2020 3.01w 浏览 0

随着磁阻式随机存取存储器MRAM愈来愈火热，成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元，在2020年7月又获得850万美元融资的挹注，让其融资总额达到1.58亿美元。

2020年8月12日新创公司Spin Memory已开发出一种晶体管，可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的尺寸，称之为Universal Selector 。而且该技术还可以克服DRAM 中一个名为Row Hammer 的安全漏洞。简单来说，Universal Selector 允许晶片上存储器件实现比以往更高的性能，可靠性和密度。

这项创新技术除了让MRAM和ReRAM产品受益之外，DRAM也获得改进的空间。Universal Selector能让这些存储器件采取新的布局、更小的占用空间并提高密度，进而带来前所未有的更高水准的性能、可靠性和密度。此外，Universal Selector 是第一个可解决DRAM 的Row Hammer 问题，同时又降低软错误率（SER ）和内存流失。现今Spin Memory 正在与NASA合作研究这项技术的适用性，以开发低软错误率和无Row Hammer 的DRAM 解决方案。

Spin Memory的Universal Selector为垂直单元晶体管提供了一种新颖设计方法，目前已经提交给JEDEC工作小组，评估Row Hammer问题的解决方案。

除了解决Row Hammer 问题之外，Universal Selector 还通过其4F2 DRAM 单元配置将DRAM 阵列密度提高了20%–35% 。

对MRAM、ReRAM和PCRAM之类的新兴存储器来说，Universal Selector使制造商能够创建6F2 – 10F2的1T1R存储单元，从而使制造商能够在相同面积内嵌入五倍的内存，进而提高内存密度，满足AI，虚拟实境，边缘运算等技术的需求。

此外，Universal Selector还能让MRAM达到与SRAM类似的性能标准。更重要的是，再结合Spin Memory公司的其他MRAM IP和创新技术，能克服MRAM的所有局限性，为产业提供了下一代非易失性存储器解决方案。

近年来，随着人工智能、自动驾驶、5G与边缘运算推动之下，DRAM、NAND型快闪存储与SRAM已经不能满足未来需求，因而MRAM（磁阻随机存取存储器）逐渐成为市场焦点。因为MRAM 结合了DRAM 的成本优势，SRAM 的快速读写性能以及NAND 快闪存储器件的非易失性，因而吸引了台积电、三星和GlobalFoundries 等几家晶圆代工厂商的注意与投入。

总之，未来随着各大晶圆厂大力支持，以及MRAM新创公司在技术上不断蜕变，MRAM的发展脚步会加快，为新兴存储技术的商业化进程带来动力。[台湾科技政策研究中心]

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