SUTD开发了智能模型模拟器，可预测忆阻器存储技术的复杂现象

忆阻器存储技术被誉为下一代边缘计算最有前途的候选技术之一，它有望使全世界的计算机发生革命性变化。由于该技术在高效内存计算，机器学习和神经形态计算中的应用，因此在替代闪存方面引起了广泛的关注。实现一个模型以准确预测忆阻器存储技术的现象至关重要，因为这将使工程师能够设计行为更高效的系统，以制造出更便宜，更快的存储器。

当前，已经报道了广泛的实验和建模研究来理解传输过程，该传输过程在电流通过设备时发生。在模型仿真器中应用了几个重要的特性，例如施加的电压，电场，材料常数等，以预测此过程。借助仿真工具和先进的观测技术，可以通过各种模型来分析传输过程。

由新加坡领导的合作项目已成功创建了一个模拟器，该模拟器同时使用电子和热学组件来制作“运输模式”。然后，团队使用此混合平台来应对内存技术方面的长期挑战：多条件下的传输过程。

通讯作者，SUTD的Desmond Loke助理教授说：“我们所做的是采用一个模型的两个不同组成部分，忆阻器模型，它们表现出彼此不同的行为。将它们放在一起，就可以创建一种传输模式准确度是传统模型的700倍”。

由于焦耳加热，器件的潜在温度升高，并产生电子特性的变化，例如电子的迁移率和阱深度。这些变化影响忆阻器存储器的传输行为的分析和预测。通过考虑传输行为模型以及与电子迁移率和陷阱深度有关的假设，可以精确地预测忆阻器存储单元的传输行为。此外，通过描述由一组全新的通用限流参数获得的器件特性，可以充分说明传输和开关行为。

这项研究发表在8月的AIP Advances杂志上。该项目得到了新加坡教育部、新加坡科技设计大学和长庚大学的支持。

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