北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种利用聚合物立方体的机械计算机原型，不再局限于二进制数据存储。这种设计灵感来自日本的切纸艺术（kirigami），可以在没有电子元件的情况下储存、检索和擦除数据。
相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料（PCM）从非晶态（即原子无序排列）转变为晶态（即原子紧密堆积在一起）的能力。这种变化产生了可逆的电特性，可用于存储和检索数据。虽然该领域还处于起步阶段，但相变存储器由于其高存储密度和更快的读写能力，可能会彻底改变数据存储。但与这些材料相关的复杂开关机制和复杂的制造方法仍然给大规模生产带来了挑战。
剑桥石墨烯中心的研究人员表明，石墨烯可用于超高密度硬盘驱动器 (HDD)，与当前技术相比，其性能可提高十倍。该研究发表在 Nature Communications 上，是与埃克塞特大学、印度、瑞士、新加坡和美国的团队合作进行的。
随着兰卡斯特物理学家的一次成功实验，一种新型通用计算机存储器ULTRARAM™朝开发迈进了重要一步。这些新结果证实了ULTRARAM™的惊人特性，具有快速高效的非易失性存储器的潜力，并具有高耐久性。
磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。
ARM 研究院（Arm Research）的 7 名工程师本月初成立了一家创业公司 Cerfe Labs，尝试商业化过去五年与 Symetrix 合作研发的实验性内存技术 CeRAM（correlated electron RAM）。
据外媒报道，将数据存储在磁带上，听起来可能会让人觉得很复古，但实际上，由于磁带的数据密度很高，它仍然被广泛用于存档。现在，东京大学的研究人员使用一种新材料制作了磁带，这种材料可以实现更高的存储密度和更强的抗干扰能力，同时还可以使用高频毫米波向磁带写入数据的新方法。
KAIST的研究人员为下一代存储设备提供了先进的非易失性存储器Express（NVMe）控制器技术，并使这种名为“ OpenExpress”的新技术免费提供给世界各地的所有大学和研究机构，以帮助降低相关领域的研究成本。
忆阻器存储技术被誉为下一代边缘计算最有前途的候选技术之一，它有望使全世界的计算机发生革命性变化。由于该技术在高效内存计算，机器学习和神经形态计算中的应用，因此在替代闪存方面引起了广泛的关注。实现一个模型以准确预测忆阻器存储技术的现象至关重要，因为这将使工程师能够设计行为更高效的系统，以制造出更便宜，更快的存储器。
由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究小组提出了一种新的物理现象，该现象有望将指甲大小的存储芯片的存储容量提高1000倍。研究小组认为，这将为直接集成到硅技术中的最终致密的逐单元铁电开关设备提供意想不到的机会。
随着磁阻式随机存取存储器MRAM愈来愈火热，成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元，在2020年7月又获得850万美元融资的挹注，让其融资总额达到1.58亿美元。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所陶虎课题组联合美国纽约州立大学石溪分校和德州大学奥斯汀分校相关课题组首次实现了基于蚕丝蛋白的高容量生物存储技术。这种存储技术以生物兼容性良好、易于掺杂功能化、降解速率可控的天然蚕丝蛋白作为信息存储介质，近场红外纳米光刻技术作为数字信息写入方式。
俄罗斯化学家制备了一种由铋(III)和紫精阳离子（viologen cations）组成的光致变色配合物，并利用这种新配合物制造了高效、稳定的光学存储元件。此项研究将有助于扩大微电子元件的应用范围，研究结果发表在《化学通讯》杂志上。
研究人员首次在不同铁-铂薄膜上试验研究完全结晶的FePt层行为与用于HAMR存储器的FePt薄膜有何不同。结果表明通过磁各向异性可实现强大的高性能数据存储，这对热辅助磁记录HAMR技术至关重要。
