北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种利用聚合物立方体的机械计算机原型，不再局限于二进制数据存储。这种设计灵感来自日本的切纸艺术（kirigami），可以在没有电子元件的情况下储存、检索和擦除数据。
在全球科技日新月异的背景下，信息技术的核心组件——存储器正经历着一场深刻的变革。面对大数据时代的海量信息存储需求以及人工智能领域的迅猛发展，科研人员不断寻求性能更优、能耗更低、成本更合理的新型存储解决方案。其中，神经拟态计算作为模拟人脑神经网络结构与功能的前沿技术，对存储硬件提出了独特要求：既需具备快速响应与非易失性存储特性，又要能在低功耗条件下高效运作。
在微电子科技领域，尺寸更小、效能更好的半导体设备一直是研究人员追求的目标。耐高温铁电存储器是一种在微电子领域具有广泛应用前景的新型存储器。它具有耐高温、高密度、低功耗等优点，为微电子领域提供了更小、更好的半导体解决方案。
剑桥大学研究人员开发了一种新型计算机存储器设计，可以极大地提高性能并降低互联网通信技术的能源需求。由剑桥大学领导的研究人员开发了一种以与人脑突触类似的方式处理数据的设备。这些器件基于氧化铪（一种已用于半导体行业的材料）和微型自组装势垒，可以升高或降低以允许电子通过。
复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术，发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈，提供了可以应用于硅材料的器件模型，实现了匹敌易失内存技术的超快速度，为统一存储器的发展提供了技术途径。
剑桥石墨烯中心的研究人员表明，石墨烯可用于超高密度硬盘驱动器 (HDD)，与当前技术相比，其性能可提高十倍。该研究发表在 Nature Communications 上，是与埃克塞特大学、印度、瑞士、新加坡和美国的团队合作进行的。
随着兰卡斯特物理学家的一次成功实验，一种新型通用计算机存储器ULTRARAM™朝开发迈进了重要一步。这些新结果证实了ULTRARAM™的惊人特性，具有快速高效的非易失性存储器的潜力，并具有高耐久性。
磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。
ARM 研究院（Arm Research）的 7 名工程师本月初成立了一家创业公司 Cerfe Labs，尝试商业化过去五年与 Symetrix 合作研发的实验性内存技术 CeRAM（correlated electron RAM）。
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒、王镇提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系。
据外媒报道，将数据存储在磁带上，听起来可能会让人觉得很复古，但实际上，由于磁带的数据密度很高，它仍然被广泛用于存档。现在，东京大学的研究人员使用一种新材料制作了磁带，这种材料可以实现更高的存储密度和更强的抗干扰能力，同时还可以使用高频毫米波向磁带写入数据的新方法。
KAIST的研究人员为下一代存储设备提供了先进的非易失性存储器Express（NVMe）控制器技术，并使这种名为“ OpenExpress”的新技术免费提供给世界各地的所有大学和研究机构，以帮助降低相关领域的研究成本。
忆阻器存储技术被誉为下一代边缘计算最有前途的候选技术之一，它有望使全世界的计算机发生革命性变化。由于该技术在高效内存计算，机器学习和神经形态计算中的应用，因此在替代闪存方面引起了广泛的关注。实现一个模型以准确预测忆阻器存储技术的现象至关重要，因为这将使工程师能够设计行为更高效的系统，以制造出更便宜，更快的存储器。
由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究小组提出了一种新的物理现象，该现象有望将指甲大小的存储芯片的存储容量提高1000倍。研究小组认为，这将为直接集成到硅技术中的最终致密的逐单元铁电开关设备提供意想不到的机会。
随着磁阻式随机存取存储器MRAM愈来愈火热，成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元，在2020年7月又获得850万美元融资的挹注，让其融资总额达到1.58亿美元。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所陶虎课题组联合美国纽约州立大学石溪分校和德州大学奥斯汀分校相关课题组首次实现了基于蚕丝蛋白的高容量生物存储技术。这种存储技术以生物兼容性良好、易于掺杂功能化、降解速率可控的天然蚕丝蛋白作为信息存储介质，近场红外纳米光刻技术作为数字信息写入方式。
美国南加州大学Viterbi工程学院的研究人员利用非对称金属和半金属石墨烯材料，制造出一种基于铁电隧道结（FTJ）技术的新型存储器技术，有望提高数据上传速度，延长智能手机电池寿命，并减少数据损坏。
