科学家发明二维材料代替硅芯片存储数据,写入速度比现有技术快100倍

近日,科学家发现了一种比传统硅芯片更密集、更小、更快、更节能的数据存储系统。新系统由斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯农工大学的研究人员共同实验推进,由一种名为二碲化钨的金属组成,排列成一叠超薄层,每层只有三个原子厚。

科学家发明二维材料代替硅芯片存储数据,写入速度比现有技术快100倍

这种新系统主要在二维金属层的滑动堆栈中对数据进行编码。其想法是,当施加一个微小的电击时,每第二个层与它上面和下面的其他层相比都会发生微小的移动。它保持这种排列方式,直到另一个电击将它们重新排列。通过这种方式,数据可以根据一层是否偏移而以通常的一和零格式进行编码。

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为了读取数据,可以使用磁场来操纵层中的电子,在不移动它们的情况下确定它们的位置。该团队表示,与现有的基于硅的数据存储系统相比,新方法有一些优势。它可以将更多的数据塞进更小的物理空间,而且移动层所需的电击非常微小,这意味着它非常节能。另外,滑动发生的速度非常快,数据的写入速度可以比现有技术快100倍。

该团队已经为该设计申请了专利,目前正在研究如何对其进行改进,比如寻找除二碲化钨之外的其他可能与该技术兼容的2D材料。

该研究发表在《自然物理学》杂志上。[来源新浪]

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