
IBM的STT-MRAM技术已经临近突破点
磁阻式RAM(MRAM)是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一,但是要将MRAM设计到芯片和系统中,并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说,MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。
磁阻式RAM(MRAM)是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一,但是要将MRAM设计到芯片和系统中,并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说,MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。
随着磁阻式随机存取存储器MRAM愈来愈火热,成立于2007年的Spin Memory先在2018年的B轮融资中获得5200万美元,在2020年7月又获得850万美元融资的挹注,让其融资总额达到1.58亿美元。