芯片制造

从实验室到生产线：这项初创技术如何颠覆芯片制造

下一代芯片采用「玻璃基板」正准备进入商品化时代

Extropic展示一款革命性的热力学计算芯片

MIT用电子堆叠技术开发一种创新多层3D芯片

随着我们的口袋和房子里装满了电子产品，人工智能和大数据推动了数据中心的兴起，需要更多比以往任何时候都更强大、更有效和更密集的计算机芯片。

人工智能和可移动终端的迅猛发展，导致对芯片高算力和低能耗的要求越来越高。而目前集成电路最先进的晶体管沟道长度和厚度开始逐步接近原子尺度，而传统半导体材料已经接近性能极限。

面向智能物联网（AIoT）对低功耗唤醒芯片的迫切需求，北京大学黄如院士-叶乐副教授课题组与浙江省北大信息技术高等研究院、浙江大学、上海芯翼信息科技有限公司合作，提出了国际首创的异步事件驱动型AIoT芯片架构，解决了在随机稀疏应用场景下长时平均功耗高的问题，显著降低了AIoT节点设备的功耗

纳米光刻是芯片制造和微纳加工中的一项关键技术。高性能、小型化、新概念纳米器件的研发对纳米光刻技术提出了越来越高的要求。传统的粒子束光刻工艺采用聚焦的光子束、电子束、keV离子束曝光产生高分辨纳米结构，但是受材料特性、粒子散射和非限域能量沉积等影响，制备超高长径比的亚10nm结构一直面临挑战。

得益于从平面型晶体管到鳍式场效应管（FinFET）的过渡，过去 10 年的芯片性能提升还算勉强。然而随着制程工艺不断抵近物理极限，芯片行业早已不再高声谈论摩尔定律。尽管业界对环绕栅极晶体管（GAAFET）在 3nm 及更先进制程上的应用前景很是看好，但这种转变的代价也必然十分高昂。

日本《读卖新闻》19日引述消息报导，日本政府计划邀请全球最大晶圆代工厂台积电或其他海外芯片制造商合作，连同本土的芯片设备供应商，合作建设先进芯片制造工厂，但暂未设定具体时间表。