MIT新研究发现砷化铟镓材料可制造更小更节能的非硅基晶体管

Heping 12月 10, 2020 1.31w 浏览 0

麻省理工科学家们已经找到了用于制造更小、更节能的非硅基晶体管的新方法，它就是此前被用于高速通信系统的砷化铟镓（InGaAs）材料。此前该材料给人留下的印象，就是其性能会在较小的尺度下出现滑坡。不过新研究已经找到了问题关键，即所谓的氧化物陷阱，该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。

研究一作 Xiaowei Cai 解释称，晶体管应该可以像开关那样工作，并在接通电压后产生预期中的大量电流。

但若遭遇电子束缚，就会发生即使接通了电压，其中也只有相当有限的电流经过的情况。当遇到这种氧化物陷阱时，晶体管的性能就会受到极大的影响。

好消息是，通过审视晶体管的频率依赖性（即电子脉冲通过晶体管的传输速率），我们得以找到问题所在。

尽管在较低的频率下，纳米级InGaAs晶体管的性能似乎出现了滑坡，但它还是能够在 1GHz 或更高频率下正常工作。

Cai 补充道，当以很高的频率操作这些设备时，我们留意到其性能表现确实相当出色，较硅晶体管展现出了相当高的竞争潜力。

据悉，Cai 将在本月的 IEEE 国际电子设备会议上详细介绍这项新发现。不过受 COVID-19 大流行的影响，会议形式已改成了在线上举办。

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