韩研究人员开发高速且超低功耗黑磷隧道场效应晶体管
据2020年2月21日韩国科学技术院（KAIST）官网报道，该校研究人员开发出一种厚度可控的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相比传统互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管开关功耗降低到十分之一，待机功耗降低到千分之一，可作为超低功耗开关的候选者，为延续摩尔定律铺平了道路。这项研究工作受到了韩国国家研究基金会的资助，相关研究成果已发表在《自然-纳米技术》期刊上。
据《国际设备和系统路线图》预测，未来将需要采用由非CMOS新材料构成的新架构器件来应对晶体管的缩放挑战。
凭借性能优势，隧道场效应晶体管可作为CMOS晶体管的主要替代者。然而，异质结中的界面问题显著降低了异质结隧道场效应晶体管的运行速度。KAIST研究人员克服了这一挑战，解决了隧道场效应晶体管的运行速度和性能问题，开发出具有创纪录水平高导通电流的隧道场效应晶体管，实现了比传统CMOS晶体管更高的运行速度、更低的功耗。(新一代信息科技战略研究中心 王立娜)
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