
MIT新研究发现砷化铟镓材料可制造更小更节能的非硅基晶体管
科学家们已经找到了用于制造更小、更节能的非硅基晶体管的新方法,它就是此前被用于高速通信系统的砷化铟镓(InGaAs)材料。此前该材料给人留下的印象,就是其性能会在较小的尺度下出现滑坡。不过新研究已经找到了问题关键,即所谓的氧化物陷阱,该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。
科学家们已经找到了用于制造更小、更节能的非硅基晶体管的新方法,它就是此前被用于高速通信系统的砷化铟镓(InGaAs)材料。此前该材料给人留下的印象,就是其性能会在较小的尺度下出现滑坡。不过新研究已经找到了问题关键,即所谓的氧化物陷阱,该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。