非硅基晶体管

科学家们已经找到了用于制造更小、更节能的非硅基晶体管的新方法，它就是此前被用于高速通信系统的砷化铟镓（InGaAs）材料。此前该材料给人留下的印象，就是其性能会在较小的尺度下出现滑坡。不过新研究已经找到了问题关键，即所谓的氧化物陷阱，该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。