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中国研究团队研制出速度超越硅极限的二维晶体管

近期,北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管,首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管,并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 V,这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。

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中国团队实现自激活存算一体超快闪存

由非易失性存储器构成的交叉阵列利用物理定律的原位计算来实现高能效神经网络是打破传统的冯诺依曼架构计算瓶颈的关键路径。然而,目前所有存储体系的阵列计算结果需要利用大量外围电路进行激活后才能有效执行运算任务,增加了系统功耗,成为了存算一体技术进入产业化的主要挑战。如果利用新型电子器件本身即可实现运算结果激活,不但大幅降低功耗解决瓶颈问题,并有利于减少资源使用,将对发展更高效率更通用的新型计算技术具有重要意义。

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科学家发明了能把6G信号精确及安全地转向的可调谐“超构元件”

随着第六代无线技术(6G)问世,无线通信的未来将迎来飞跃性的巨大转变。香港城市大学(香港城大)的研究团队最近发明了一种突破性的可调谐太赫兹(terahertz,,THz)超构元件(meta-device),它可以控制太赫兹波束的辐射方向和覆盖区域。通过旋转其超构表面,超构元件即可迅速地把6G信号波束转向,只聚焦及传送到指定位置的接收者,可减少功率浪费及增强私隐保障。它有望为未来的6G通信系统提供一种高度可调、定向和安全的波束传送新技术。

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超低损耗量子芯片互联技术获突破

近日,南方科技大学深圳量子科学与工程研究院超导量子计算团队提出并实现了超低损耗的量子芯片互联技术,将芯片间量子态传输的保真度提高到单芯片水平(99%)。研究团队实现了5个量子芯片的互联,并展示了跨3个芯片的12比特最大纠缠态(GHZ态),为大规模、可扩展分布式量子计算网络奠定了基础。

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中国研究团队在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展

单片三维集成是集成电路在后摩尔时代的重要发展方向,存储与逻辑的单片集成可以大幅提升系统的带宽与能效,是解决当前集成电路领域面临的“存储墙”与“功耗墙”挑战的主要技术路径。此外,硅基工艺的高热预算限制了其在后道工艺中实现有源器件的制备,因此,硅基后道兼容、低热预算、高性能的新型半导体沟道成为了学术界和工业界的前沿热点领域。以铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的非晶氧化物半导体具有极佳的综合性能,是后道兼容逻辑器件与存储器件的主要候选材料。

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复旦团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管

传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂,在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而,全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。因此,研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成,对于自主发展新型集成电路技术具有重要意义。

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东京理科大学开发出可扩展量子处理器

东京理科大学(Tokyo University of Science,TUS)的研究人员开发出一种可扩展的全耦合退火处理器。研究人员利用量子器件创建出模拟自旋行为的退火处理器,并用该处理器来解决复杂的退火工艺优化问题。该量子处理器性能明显优于目前的CPU,并显示出在药物发现、人工智能和材料科学中的应用潜力。

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麦肯锡:全球半导体产业有望迎来十年增长

为我们所依赖的技术制造重要组件的半导体行业在过去一年中成为头条新闻。这并不全是好消息。供应短缺导致从汽车到电脑等各种产品的生产出现瓶颈,凸显了微型芯片对全球经济平稳运行的重要性。在许多方面,我们的世界是建立在半导体之上的。随着未来十年芯片需求的增长,半导体制造和设计公司现在将从对市场走向以及长期需求驱动因素的深入分析中受益。

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新型光电探测器能模仿光合作用在“超长”距离实现光到电流的转换

美国密歇根大学研究人员在《光学》期刊发表论文称,他们使用被称为极化子的独特准粒子开发了一种新型高效光电探测器,其灵感来自植物用来将阳光转化为能量的光合复合物。该设备将光能的远程传输与电流的远程转换相结合,有可能大大提高太阳能电池的发电效率。

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Intel称2030年芯片晶体管密度将达到目前的10倍

英特尔公司首席执行官基辛格出席Hotchips 2022会议,就未来芯片技术进行展望。基辛格指出,先进封装技术将推动摩尔定律发展,将发展出“系统封装”模式(System on Package,SoP),其内涵是芯片制造厂不再仅提供单一的晶圆生产,而是提供完整的系统级服务,包括晶圆生产、先进封装及整合在一起的软件技术等。

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