隧道场效应晶体管

韩国科学技术院（KAIST）官网报道，该校研究人员开发出一种厚度可控的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相比传统互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管开关功耗降低到十分之一，待机功耗降低到千分之一，可作为超低功耗开关的候选者，为延续摩尔定律铺平了道路。