SiC芯片

美国主要汽车产业芯片材料供应商Coherent已吸引了四家日本企业集团日立、Denso、三菱和住友电工对其碳化硅（SiC）业务的投资兴趣，估值高达50亿美元。

汽车供应商Bosch、英飞凌和Onsemi加强了它们在新兴市场的大功率碳化硅（SiC）半导体市场的地位，这对于更快的电动汽车充电系统至关重要。

为了扩大在SiC半导体的优势，意法半导体（STMicroelectronics）宣布，将在瑞典Norrköping工厂制造出首批采用8吋晶圆的SiC芯片，以让其可用于生产下一代雏型的功率产品。对于意法半导体来说，将SiC晶圆升级到8吋晶圆标志著其未来在汽车和工业客户上能巩固其地位。

功率电子和汽车的需求不断成长，使得化合物半导体的前景逐步看俏。毕竟，SiC与GaN在较少的功率消耗下，具有较高的效率，已经成为航空太空、军事和国防，以及汽车等领域，趋之若鹜的技术。

由于，目前硅半导体已达到物理极限，若要在硅基功率元件(如Si-MOSFET等)高耐压、耐高温、降低单位面积阻抗等参数作大幅改善，则需要采用宽能隙半导体材料如SiC(碳化硅)或GaN来替代。其中，SiC半导体的宽能隙(band gap)比现有的硅半导体宽3倍以上，可以承受10倍以上的电压，多用于在电动车逆变器（inverter）、车载充电器、太阳能变流器和工业设施中。

三菱电机日前宣布推出基于新开发SiC芯片的第二代碳化硅(SiC)功率模块，据预测，该模块将带动包括变速驱动在内的各工业领域的小型、轻量、高效电力电子设备的开发。