Micro-LED

Micro-LED显示技术具有高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗、长寿命等优点，被认为是继LCD和OLED之后下一代显示技术。然而其大规模商业化还面临着技术不成熟、成本高等难题。其中一个很大的技术瓶颈是如何实现Micro-LED的全彩化。虽然已经有几种巨量转移技术方案比如弹性印章转印、静电转印等来解决这些问题并取得了很大的成功，但制造能满足AR/VR应用的高分辨率全彩Micro-LED显示器仍然是一个巨大的挑战。

一支美国团队设计了一种用于电动纳米级LED的结构-由160 nm宽的ZnO鳍片（紫色），金属电极（黄色），绝缘电介质薄层（深绿色）和GaN基组成（浅绿色）—据报道，它产生的亮度是其他同类LED的100到1,000倍，并以足够高的驱动电流发光。

OLED作为潜在下一代主流显示技术，传统LED显示技术被取代似乎已成必然趋势。不过，就这种情况之下，基于LED的新一代显示技术Micro-LED突然杀出，而红光LED对于构建下一代节能型micro-LED显示屏以及创造具有色彩调谐功能照明，都是至关重要的。迄今为止用氮化物晶体制成纯红色LED是工程师需要解决的一大难题。不过现在红光led技术有了新进展，KAUST电气工程师团队首次成功制造出了红光LED。