
未来可期,GaN芯片能够让电动汽车充电速度提高三倍
超快速手机充电器制造公司Navitas Semiconductor表示,电动车将是其下一个大赌注。如果Navitas能够借助自家技术,让电动车在消费者家中的充电时间减少剩下三分之一,或者电动车的续航里程可以增加近30%,或者电池的尺寸可以减少30%。Navitas预计2025年能够将其商品化。
超快速手机充电器制造公司Navitas Semiconductor表示,电动车将是其下一个大赌注。如果Navitas能够借助自家技术,让电动车在消费者家中的充电时间减少剩下三分之一,或者电动车的续航里程可以增加近30%,或者电池的尺寸可以减少30%。Navitas预计2025年能够将其商品化。
半导体产业一直依赖硅生产芯片,但随着芯片短缺带来的效应,越来越多的公司正转向使用氮化镓(GaN),让其电子装置达到更环保、更高效率、且更小的好处。例如:Navitas半导体公司已经为Anker、Aukey、Belkin、戴尔、Hyper、联想、OPPO、RAVPower、Verizon等数十家公司提供GaN芯片。
根据市场分析公司Yole Developpement预测,GaN功率器件市场将从2020年的4600万美元增长至2026年的11亿美元,平均年复合成长率达70%。其中,在2020年,由于GaN器件渗透到智能手机快速充电器应用中,使得GaN功率市场成长了一倍。
功率电子和汽车的需求不断成长,使得化合物半导体的前景逐步看俏。毕竟,SiC与GaN在较少的功率消耗下,具有较高的效率,已经成为航空太空、军事和国防,以及汽车等领域,趋之若鹜的技术。
基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)及硒化锌等宽频半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。