EUV光刻技术

中国在极紫外（EUV）光刻技术领域的进展备受关注

美国美光科技公司（Micron Technology Inc.）表示，未来几年将在日本政府的支持下，投资5000亿日元（约合37亿美元）向日本引进极紫外（EUV）光刻技术制造1-gamma（1γ）节点的下一代动态随机存取存储器（DRAM），实现下一波端到端技术创新，如生成式人工智能应用。

近日，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室在极紫外光刻的计算光刻技术研究方面取得进展。研究人员针对极紫外光刻，提出了一种基于厚掩模模型和社会学习粒子群算法（social learning particle swarm optimization, SL-PSO）的光源掩模优化技术（Source and mask optimization, SMO）。

台积电与三星规划2022年进入3纳米(nm)量产阶段，而半导体厂商为了进入3nm以及更先进制程，都积极抢夺极紫外光（EUV ）光刻机设备，但是一台造价高达3亿美元的设备，到底能否即时推出，ASML也不能给出答案。

经过20多年的深入联合开发工作，欧洲的公司和研究机构终于推出了一种革命性的新制造技术，用于大规模生产功能强大的微芯片。被业内人士称为EUV光刻技术。新技术还可以实现自动驾驶、5G、人工智能等未来创新应用。