超宽禁带半导体材料

六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在场效应晶体管、深紫外发光器件和探测器上有重要的应用，是二维材料家族中的重要成员。同时，六方氮化硼能与其他二维材料（石墨烯、二硫化钼、黑磷等）结合，在二维材料异质集成，制备微小型、低功耗器件上表现优异，潜力巨大，被认为是最有前途的材料之一。