相变存储器

美国或将实现超节能半导体技术可能对中国造成挑战

在全球科技日新月异的背景下，信息技术的核心组件——存储器正经历着一场深刻的变革。面对大数据时代的海量信息存储需求以及人工智能领域的迅猛发展，科研人员不断寻求性能更优、能耗更低、成本更合理的新型存储解决方案。其中，神经拟态计算作为模拟人脑神经网络结构与功能的前沿技术，对存储硬件提出了独特要求：既需具备快速响应与非易失性存储特性，又要能在低功耗条件下高效运作。

忆阻器凭借其简单的器件结构和高存储密度，成为新一代非易失性存储器的有力候选者之一。目前研究的主流忆阻器的阻变行为依赖离子迁移诱导的导电丝通道的通断。然而，离子迁移的不可控性导致了导电丝通道形成和断裂的本征随机性，进而引发了器件均一性问题。

柔性存储器技术取得突破，研究人员在本周的《科学》杂志上报告了他们的发现。 相变存储器（PCM）并不明显适合塑料电子产品。这项技术会将比特存储为电阻状态——在结晶相中电阻较低；但当流经设备的电流足够大时，晶体会熔化呈现出电阻更大的非晶相。这种转化过程是可逆的。

美国斯坦福大学研究人员取得相变存储器研究新进展，将促进快速、节能的计算技术开发。相变存储器技术被认为是一种有潜力的数据存储技术，具有远超传统硬盘存储技术的速度，但其功耗相对较高。