基于MoTe2的超快相变存储器件

忆阻器凭借其简单的器件结构和高存储密度，成为新一代非易失性存储器的有力候选者之一。目前研究的主流忆阻器的阻变行为依赖离子迁移诱导的导电丝通道的通断。然而，离子迁移的不可控性导致了导电丝通道形成和断裂的本征随机性，进而引发了器件均一性问题。

针对该问题，华中科技大学缪向水教授团队与武汉理工大学的胡执一副教授团队合作，创新性地利用二维MoTe2材料在 2H-1T’两相之间的可逆相转变，实现了稳定超快的阻变特性。

与已报道的MoTe2不可逆相转变不同，研究团队采用等离子处理MoTe2引入Te空位，有效降低了2H 和 1T′相之间的能垒，在国际上首次实现了电场诱导的2H-1T’可逆相转变。在此基础上，结合第一性原理计算，采用双球差TEM和原位Raman光谱实时观测到了MoTe2的2H -1T′可逆相转变。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com

本研究报道的MoTe2器件的SET/RESET速度可达5ns/10ns，循环寿命可达10^5 次，保持时间可达10^5s，同时器件表现出优异的环境和时间稳定性。其综合存储特性优于目前报道的其它二维存储器件。

 相关研究以“Ultrafast and stable phase transition realized in MoTe2-based memristive devices”为题发表在国际知名期刊《Materials Horizons》上。