金星以其恶劣的环境条件著称，尤其是其表面温度，高达480摄氏度，足以让金属铅熔为液体，这样的极端条件显然不适合人类直接探索，也对传统的电子设备构成了巨大挑战。然而，科学家们并未因此放弃对金星的探索，而是开始寻找能在这样极端环境下工作的新型材料和技术。
北京大学物理学院量子材料科学中心高鹏研究员与合作者巧妙运用石墨烯的晶格引导氮化物的晶格排列，在非晶玻璃衬底上成功异构外延出高质量的准单晶氮化镓薄膜，并制备发光器件。相关研究成果于2021年7月30日在线发表于《科学·进展》（Science Advances）。
半导体产业一直依赖硅生产芯片，但随着芯片短缺带来的效应，越来越多的公司正转向使用氮化镓（GaN），让其电子装置达到更环保、更高效率、且更小的好处。例如：Navitas半导体公司已经为Anker、Aukey、Belkin、戴尔、Hyper、联想、OPPO、RAVPower、Verizon等数十家公司提供GaN芯片。
韩国政府产业通商资源部和国防部近日确定了为培育国防产业原材料、零部件、装备企业而进行的“X-band氮化镓（GaN）半导体集成电路”国产化课题。
在2002年5月，Lester F. Eastman和Umesh K. Mishra在IEEE Spectrum曾提出了当时功率半导体领域一项长期发展的技术：氮化镓（GaN）。他们对GaN在当时新生的宽频无线网路、雷达以及用于电网的电源开关应用中的前景表示相当乐观。并将GaN器件称为“迄今为止最坚固的晶体管”。不过，随着透明的导电氧化物──氧化镓（Ga2O3）出现，震惊了整个功率器件领域。
β-Ga2O3超宽带隙(UWBG)半导体与目前的商用半导体如碳化硅和氮化镓相比，以其优越的材料特性实现高效的功率转换，可以给电力电子行业带来革命性的变化。为了开发电子应用，必须阐明毫米波和太赫兹波区域的材料特性。
基于摩尔定律即将走到极限，各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及硒化锌等宽频半导体为主，有别于第一代的硅（Si）、第二代的砷化镓（GaAs）之半导体材料。
