
半导体产业一直依赖硅生产芯片,但随着芯片短缺带来的效应,越来越多的公司正转向使用氮化镓(GaN),让其电子装置达到更环保、更高效率、且更小的好处。例如:Navitas半导体公司已经为Anker、Aukey、Belkin、戴尔、Hyper、联想、OPPO、RAVPower、Verizon等数十家公司提供GaN芯片。

3月11日,中、美两国半导体行业协会宣布将共同成立“中美半导体产业技术和贸易限制工作组”。据悉,该工作组的成立将为中美两国半导体产业建立一个及时沟通的信息共享机制,交流有关出口管制、供应链安全、加密等技术和贸易限制等方面的政策。

英特尔新任ceo杰辛格(Pat Gelsinger)于1月21日财报电话会议上表示,英特尔的7纳米芯片技术已有所突破,在2023年以前,大多数产品仍以自行生产为主。他表示将继续采用英特尔独特的IDM(整合设备制造)模式,利用内部和外部资源来满足客户的供应需求。他认为芯片制造是一项国家资产,英特尔为了科技产业、美国科技发展,必须维持健康状态就是技术领先的优势地位。仅表明,未来将采双轨制生产,但仍以自制为主,而外包给其他厂商的比重会提高。

由于,目前硅半导体已达到物理极限,若要在硅基功率元件(如Si-MOSFET等)高耐压、耐高温、降低单位面积阻抗等参数作大幅改善,则需要采用宽能隙半导体材料如SiC(碳化硅)或GaN来替代。其中,SiC半导体的宽能隙(band gap)比现有的硅半导体宽3倍以上,可以承受10倍以上的电压,多用于在电动车逆变器(inverter)、车载充电器、太阳能变流器和工业设施中。

在被多家美国媒体转载的美国商务部的这封信中强调,中国半导体制造国际公司(SMIC)可以生产军民两用产品。早在4月美国当局就修订了限制产品出口的规则。如果说以前美国仅限制几类商品和技术出口的话,例如军用飞机的飞机发动机,那么根据新的规则,理论上可用于军事工业的任何产品、组件或软件都可能受到限制。华盛顿给出的理由是,美国不应该以任何方式助推其潜在对手的军事建设。

日本《读卖新闻》19日引述消息报导,日本政府计划邀请全球最大晶圆代工厂台积电或其他海外芯片制造商合作,连同本土的芯片设备供应商,合作建设先进芯片制造工厂,但暂未设定具体时间表。