科学家突破技术瓶颈，实现二维材料无损集成到电子器件
随着电子设备的不断发展，对新材料的需求也日益迫切。二维材料因其优异的电学、磁学和光学性能，成为下一代电子器件的理想候选材料。然而，将二维材料无损地整合到电子器件中却是一项巨大的挑战。传统的方法往往会破坏二维材料的结构和性能。
MIT科学家创造出更强大、更密集的计算机芯片
随着我们的口袋和房子里装满了电子产品，人工智能和大数据推动了数据中心的兴起，需要更多比以往任何时候都更强大、更有效和更密集的计算机芯片。
复旦团队合作发明晶圆级硅基二维互补叠层晶体管
传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。因此，研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成，对于自主发展新型集成电路技术具有重要意义。
