博世掌握沟槽蚀刻工艺生产碳化硅芯片

据德国《商报》3月25日报道，德国汽车零部件供应商博世，在新型碳化硅（SiC）节能芯片方面取得领先，成功转型半导体制造商，将向比亚迪、长城汽车供货。SiC芯片比硅芯片能耗更少，可使电动汽车行程更长，充电更快。博世表示称沟槽蚀刻工艺至关重要，它可以在组件上实现高精度垂直结构。博世目前已通过 MEMS（微机电系统，现在每两部手机中就安装了一个MEMS传感器）生产掌握了沟槽蚀刻工艺这项技术，相关技术处于从直径150毫米到200毫米的常见晶圆转换的最前沿。

凯捷咨询公司等行业分析师认为，博世最大威胁正是中国本土芯片供应商，但尚不清楚中国供应商在价格、数量和质量方面的竞争力。随着传统核心汽车零部件业务日趋艰难，大陆集团、采埃孚等也陷入困境。博世打造自己的芯片和传感器战略获得回报，在与英飞凌和意法半导体等领先汽车芯片制造商的竞争中脱颖而出。五年前，博世在罗伊特林根建立工厂，去年又以15亿美元收购美国一家芯片工厂转换为生产碳化硅芯片，有望在2026年交付第一批美国制造的零部件。

此领域竞争非常激烈，仅英飞凌就投资50亿欧元在马来西亚建设世界上最大的碳化硅工厂，英飞凌老板哈内贝克预计，到2030年SiC芯片市场将达到70亿欧元，其中约一半来自汽车行业。意法半导体也斥资数十亿美元建设新的碳化硅工厂，还与当地合作伙伴一起在中国建新工厂。美国Wolfspeed集团和采埃孚计划在德国萨尔州建设碳化硅工厂，耗资超过20亿欧元。