SiC功率器件

美国主要汽车产业芯片材料供应商Coherent已吸引了四家日本企业集团日立、Denso、三菱和住友电工对其碳化硅（SiC）业务的投资兴趣，估值高达50亿美元。

STMicroelectronics发布了用于电动汽车的大功率模块，可提高性能和续驶里程。ST 的新型碳化硅 (SiC) 功率模块已被现代的 E-GMP 电动汽车平台选用，该平台与起亚 EV6 和多款车型共享。

随着电动车成为主流后，无论是改善其动力传动系统的尺寸和效率、可充电的速度以及充满电可行驶的距离，SiC逆变器都扮演关键要素。

由于，目前硅半导体已达到物理极限，若要在硅基功率元件(如Si-MOSFET等)高耐压、耐高温、降低单位面积阻抗等参数作大幅改善，则需要采用宽能隙半导体材料如SiC(碳化硅)或GaN来替代。其中，SiC半导体的宽能隙(band gap)比现有的硅半导体宽3倍以上，可以承受10倍以上的电压，多用于在电动车逆变器（inverter）、车载充电器、太阳能变流器和工业设施中。

三菱电机日前宣布推出基于新开发SiC芯片的第二代碳化硅(SiC)功率模块，据预测，该模块将带动包括变速驱动在内的各工业领域的小型、轻量、高效电力电子设备的开发。

工程材料和光电组件制造商II-VI已获得通用电气（General Electric）的SiC技术许可，以期进入功率器件和模块制造。就像II-VI在SiC晶圆市场上的主要竞争对手一样，美国的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company（包括SiCrystal）也一样，新的许可能通过电动汽车和混合电动汽车（EV / HEV）应用的快速发展，推动SiC基电力电子产品的市场需求。