科学家开发GaN二极管，这是保护电网免受电磁干扰的重要一步
桑迪亚国家实验室的科学家们开发了一种新的氮化镓 (GaN) 二极管，该二极管可以在十亿分之一秒内分流多余的电力，同时以创纪录的 6,400 伏特运行——这是保护国家电网免受电磁脉冲（EMP）干扰的重要一步。
氮化镓GaN将逐步巩固半导体产业地位，商机持续扩大中
半导体产业一直依赖硅生产芯片，但随着芯片短缺带来的效应，越来越多的公司正转向使用氮化镓（GaN），让其电子装置达到更环保、更高效率、且更小的好处。例如：Navitas半导体公司已经为Anker、Aukey、Belkin、戴尔、Hyper、联想、OPPO、RAVPower、Verizon等数十家公司提供GaN芯片。
Yole预估GaN功率器件市场成长70%、2026年达11亿美元
根据市场分析公司Yole Developpement预测，GaN功率器件市场将从2020年的4600万美元增长至2026年的11亿美元，平均年复合成长率达70%。其中，在2020年，由于GaN器件渗透到智能手机快速充电器应用中，使得GaN功率市场成长了一倍。
苏州纳米所在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示，GaN器件适用于68%的功率器件市场；在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，极大提高了能源利用效率；可使笔记本等电源适配器的体积缩小，减小设备体积，提高集成度。
英国CGD公司牵头设计开发下一代GaN电源模块原型
英国Cambridge GaN Devices（CGD）公司牵头预算1030万欧元的GaNext项目，与来自欧洲产业和学术界的13个合作伙伴，共同设计和开发高效、紧凑的下一代GaN电源模块原型。
