英国CGD公司牵头设计开发下一代GaN电源模块原型

英国Cambridge GaN Devices（CGD）公司牵头预算1030万欧元的GaNext项目，与来自欧洲产业和学术界的13个合作伙伴，共同设计和开发高效、紧凑的下一代GaN电源模块原型。

项目目标

GaNext项目由PENTA计划提供资金支持，目标是研发带有集成传感器和控制器的全球最紧凑、最具能效的650V GaN功率模块。GaN芯片将集成传感和驱动电路，并与硅和GaN低电压逻辑、控制和电平转移绝缘体上硅（SOI）栅极驱动电路相结合。电源模块专用封装将包括电源、控制和驱动电路。

研究团队

研究团队在GaN技术、高频驱动器、磁学，智能控制器，以及电力电子各领域特定终端应用领域具有互补的专业知识。

合作伙伴包括：

英国：CGD、CSA Catapult、Lyra电子

德国：advICo微电子、MACCON Elektroniksysteme、Fraunhofer IMS、多特蒙德工业大学、英飞凌科技、SUMIDA器件和模块公司

荷兰：Besi、Neways、埃因霍温科技大学、Signify。CGD是GaN功率器件的唯一供应商，GaN功率器件是功率模块的核心。

研究内容

现在有许多公司提供GaN晶体管，其中一些公司使用硅基氮化镓来充分利用更大、成本更低的晶圆优势。尽管迄今为止的努力都集中在使GaN晶体管可靠工作并获得市场认可，但当前的GaN器件仍难以使用，阻碍了市场的接纳度。CGD将通过开发可与硅晶体管类似的方式驱动且易于使用的GaN器件来消除这一障碍。该公司的技术可使用标准的MOSFET驱动器和微控制器轻松进行控制，还将智能特性和保护功能完全嵌入其产品解决方案中作为补充。

CGD能力基础

CGD于2016年从剑桥大学工程学院高压微电子学和传感器系中孵化而来，主要开发硅基氮化镓功率半导体。与最新的硅器件相比，CGD提供的GaN晶体管可以在更高的开关频率下工作，损耗和导通电阻更低。CGD正在开发一系列针对不同应用而定制的GaN晶体管，将在效率和功率密度方面显着突破转换系统的边界。

项目意义

CGD的创始人兼首席执行官GiorgiaLongobardi表示：“Penta项目为CGD与电力电子领域的领先公司进行合作创造了巨大的机会。该项目不仅将增进GaN技术的知识并提供有关其复杂方面的见解，而且还将致力于提供照明、电机驱动器、可再生能源的转换器及车载充电器的全功能原型，并达到创纪录的规格和出色的表现。”

 CGD首席技术官兼创始人FlorinUdrea表示：“Penta项目联合体的质量非常出色，我们将兑现使GaN技术在市场上取得巨大成功的承诺。我们为追求更好利用能源和建立更清洁环境所做出的贡献将产生更广泛的影响。”