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铜电镀技术

最前沿
中国研究团队利用电镀方法制备毫米级厚度单晶铜片

中国科学院院士王恩哥、松山湖材料实验室/北京大学教授刘开辉与合作者突破电镀单晶铜片技术,首次利用电镀的方法实现毫米级厚度单晶铜片的制备,并提出“衬底表面原子台阶诱导金属单晶生长”的外延电镀新机制。相关研究近日在线发表于《科学通报》。

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可实现扇出型晶圆级封装的铜电镀技术

高密度扇出型封装(FOWLP)技术由于能满足手机封装所需的外形尺寸和效能要求,逐渐获得业界关注。相较于通过微缩来实现摩尔定律的其他技术,FOWLP可提供更高整合度和更佳经济效益;本文在此前提下提出一种经济有效的晶粒堆叠方法——Durendal制造,以期实现理想的良率以及坚固、可靠的连接…