超密集存储

磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。

德克萨斯大学的工程师们创造了有史以来最小的存储设备之一，由一种二维材料制成，尺寸为一纳米见方。这种被称为 “原子电阻 “的装置是通过单个原子的运动来工作的，这将为具有难以置信的信息密度的更小的存储系统铺平道路。