氮化镓半导体集成电路

北京大学物理学院量子材料科学中心高鹏研究员与合作者巧妙运用石墨烯的晶格引导氮化物的晶格排列，在非晶玻璃衬底上成功异构外延出高质量的准单晶氮化镓薄膜，并制备发光器件。相关研究成果于2021年7月30日在线发表于《科学·进展》（Science Advances）。

韩国政府产业通商资源部和国防部近日确定了为培育国防产业原材料、零部件、装备企业而进行的“X-band氮化镓（GaN）半导体集成电路”国产化课题。