氧化镓

中国科学家取得了一项突破性进展，有望提高新一代半导体的生产。美国曾试图禁止向中国出口这种半导体，因为它在国防和关键基础设施等领域的应用。

近日，清华大学航天航空学院曹炳阳教授课题组针对非晶氧化镓体系，采用机器学习、分子动力学模拟及实验测量相结合的方法成功揭示了非晶氧化镓的原子结构特征、热输运性质及“结构—热输运性质”内在影响机制和定量关系。

日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。

近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美国旧金山召开。IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）成功被大会接收

英国利物浦大学（University of Liverpool）、布里斯托大学（University of Bristol）、伦敦大学学院（University College London，UCL）的研究人员将机器学习、理论计算与实验结果相结合，确定了γ-氧化镓的关键特性。

据日经新闻报道，日本东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料-氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的百分之一。

在2002年5月，Lester F. Eastman和Umesh K. Mishra在IEEE Spectrum曾提出了当时功率半导体领域一项长期发展的技术：氮化镓（GaN）。他们对GaN在当时新生的宽频无线网路、雷达以及用于电网的电源开关应用中的前景表示相当乐观。并将GaN器件称为“迄今为止最坚固的晶体管”。不过，随着透明的导电氧化物──氧化镓（Ga2O3）出现，震惊了整个功率器件领域。

美国空军研究实验室的工程师通过实现创纪录的临界场强并使开关损耗低于硅的FET，使氧化镓器件性能达到了新高度。

布法罗大学正在研发的一种基于氧化镓的晶体管可能会给人们带来帮助。在这项研究中，电气工程师描述了这种微型电子开关如何能够承受8000伏以上的电压，考虑到它的厚度只有一张纸，这是一项令人印象深刻的壮举。这一进步超越了硅和其他成熟技术，并可能有助于提高电动汽车等续航能力。

北卡罗来纳州立大学的新研究发现，氧化镓在下一代辐射探测器中具有广阔应用前景。利用单晶氧化镓的辐射探测器可以近乎实时地监测X射线辐射。研究发现氧化镓辐射探测器的工作响应速度非常快，这可能会给医学成像等许多应用带来好处，氧化镓具有出色的辐射硬度–这意味着即使暴露在高辐射量情况下，它也能保持工作状态。