半导体集成电路

东京工业大学的研究人员报告称，一种处理单元和存储器的三维集成技术实现了全世界最高的性能，为更快、更高效的计算铺平了道路。这种名为“BBCube 3D”的创新堆叠架构实现了比最先进的存储器技术更高的数据带宽，同时也最大限度地减少了位访问所需的能量。

传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。极紫外光刻设备复杂，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术价值凸显。然而，全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。因此，研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成，对于自主发展新型集成电路技术具有重要意义。

香港科技大学的研究人员最近发明了一种新型集成方案，通过选择性直接外延技术，在硅光子平台上开发了III-V族化合物半导体器件和硅组件的高效耦合—，释放集成高能效光子和低成本电子的潜能，使下一代通信 可以低成本、更高速和更大容量的方式呈现。

人工智能和可移动终端的迅猛发展，导致对芯片高算力和低能耗的要求越来越高。而目前集成电路最先进的晶体管沟道长度和厚度开始逐步接近原子尺度，而传统半导体材料已经接近性能极限。

韩国政府产业通商资源部和国防部近日确定了为培育国防产业原材料、零部件、装备企业而进行的“X-band氮化镓（GaN）半导体集成电路”国产化课题。