在探索新能源和提高光电转化效率的科研道路上，科学家们不断寻求突破，最近一项发表于英国《自然》杂志的国际合作研究就带来了令人振奋的消息。该研究揭示了一种创新方法，通过对半导体材料氧化亚铜实施巧妙的“扭曲”处理，其捕获光能并转换为电能的效率竟然提升了惊人的70%。这一发现不仅预示着未来光电材料性能的巨大飞跃，还为开发成本更低、效率更高的太阳能电池及其他光电器件开辟了新的路径。
在当今科技发展的快节奏中，人们对于能够满足高性能和高效率的半导体技术的需求日益增长。金刚石半导体作为一种新兴材料，具有极高的导热率和硬度，为未来电子产业带来了巨大潜力。
印度科学研究所 (IISc) 材料工程系的科学家开发出了一种超柔性复合半导体材料，可在下一代柔性或曲面显示器、可折叠手机和可穿戴电子产品中得到应用。
据最新一期《科学》杂志，来自美国麻省理工学院、休斯顿大学和其他机构的一个研究团队进行的实验表明，一种名为立方砷化硼的材料克服了硅作为半导体的两个限制：为电子和空穴提供很高的迁移率，并具有良好的导热性能。研究人员说，它可能是迄今为止发现的最好的半导体材料。
六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在场效应晶体管、深紫外发光器件和探测器上有重要的应用，是二维材料家族中的重要成员。同时，六方氮化硼能与其他二维材料（石墨烯、二硫化钼、黑磷等）结合，在二维材料异质集成，制备微小型、低功耗器件上表现优异，潜力巨大，被认为是最有前途的材料之一。
全无机非铅钙钛矿量子点是一种新型的半导体光电材料，其丰富的地球储量、无铅毒性的化学组分、优秀的热稳定性、低维的电子结构、高激子结合能和发光效率，使得全无机非铅钙钛矿量子点在光电器件方面展现出广阔的应用前景。然而，常用的钙钛矿量子点合成方法具有诸多共性缺点——操作复杂、步骤繁琐、需要高温或配体的精细调控、得到的产物尺寸通常较大、限域效应不明显等。
据最新一期英国《自然·通讯》报道，美国密歇根大学开发出一种半导体材料，可在室温条件下实现从导体到绝缘体的“量子翻转”，有助于开发新一代量子设备和超高效电子设备。
美国宾夕法尼亚州立大学、AIXTRON、加州大学洛杉矶分校、空军研究实验室和布鲁克海文国家实验室的研究人员，合作开发了一种制造高光发射原子级薄超晶格或半导体薄膜的新方法。
近日半导体材料的获得重大突破，创造了一种可以推倒摩尔定律“终结”的芯片。这一突破是在麻省理工学院 (MIT)、国立台湾大学 (NTU) 和台积电 (TSMC) 的共同努力下完成的，台积电是全球最大的先进芯片制造商。突破的核心是采用半金属铋的工艺，可以制造 1 纳米 (nm) 以下的半导体。
德克萨斯大学阿灵顿分校（UTA）是全美十所通过材料研究与教育合作伙伴关系 (PREM) 计划和西北大学材料研究科学与工程中心获得为期三年、价值80万美元的美国国家科学基金会 (NSF) 资助的大学之一，以开发用于能源和半导体应用的新功能材料。
据中国半导体行业协会网9月2日消息，美国咨询公司TECHCET公布其调查数据，显示2021年年全球半导体材料市场将超过 570亿美元。
