动态闪存

中国团队研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，刷新半导体电荷存储速度

人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。

由非易失性存储器构成的交叉阵列利用物理定律的原位计算来实现高能效神经网络是打破传统的冯诺依曼架构计算瓶颈的关键路径。然而，目前所有存储体系的阵列计算结果需要利用大量外围电路进行激活后才能有效执行运算任务，增加了系统功耗，成为了存算一体技术进入产业化的主要挑战。如果利用新型电子器件本身即可实现运算结果激活，不但大幅降低功耗解决瓶颈问题，并有利于减少资源使用，将对发展更高效率更通用的新型计算技术具有重要意义。

Unisantis® Electronics Singapore Pte. Ltd.公布了公司在动态闪存(DFM)®技术方面的进展，这是该行业为未来的低成本、高密度嵌入式或独立式存储器应用寻找DRAM替代品的一次飞跃。与DRAM或其他类型的易失性存储器相比，DFM能够提供更快的速度和更高的密度。