六方氮化硼

六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在场效应晶体管、深紫外发光器件和探测器上有重要的应用，是二维材料家族中的重要成员。同时，六方氮化硼能与其他二维材料（石墨烯、二硫化钼、黑磷等）结合，在二维材料异质集成，制备微小型、低功耗器件上表现优异，潜力巨大，被认为是最有前途的材料之一。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员吴天如研究团队和华东师范大学教授袁清红研究团队，基于原位合成、表征研究与第一性原理计算方法，提出铁硼（Fe2B）合金表面高质量多层六方氮化硼（h-BN）原子空位辅助生长新机制。

二维材料独特的物理、化学、电学和光学性质，令它们过去十多年成为国际间不同科学领域的研究热点。香港城巿大学科研人员继首次测试出“黑色黄金”石墨烯（graphene）的实际拉伸能力和工程强度后，今年之内再下一城，首次验证了另一种重要二维材料、别称“白色石墨烯”的六方氮化硼（hexagonal boron nitride, h-BN）在弹性方面的表现，并展示其出乎意料的强大抗缺陷能力。这项后续研究，有望推动未来h-BN应变工程、压电电子学和柔性电子学的发展和应用。

德克萨斯州工程师设计了一种由六方氮化硼制成的新型纳米级快速开关忆阻器，可传送5G和6G无线电信号。