二维晶体管

2025年2月14日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授研究团队与北京大学电子学院邱晨光研究员团队在《自然-材料》（Nature Materials）在线发表题为“Low-power 2D gate-all-around logics via epitaxial monolithic 3D integration”的研究论文，报道了世界首例低功耗二维环栅晶体管（2D GAAFET），并研制出高性能低功耗二维环栅逻辑器件。

近期，北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。

北京大学物理学院吕劲研究员课题组在《物理报道》发表亚10 nm二维晶体管研究综述长文