美国LANL国家实验室载流子倍增新突破

半导体中的载流子倍增现象是指半导体材料吸收一个高能光子产生多个电子-空穴对。将载流子倍增应用于太阳能电池将大幅降低高能光子的热损耗，提升太阳光利用率，从而突破Shockley-Queisser极限。

然而，在半导体体相材料中，受到平移动量守恒的限制，载流子倍增发生所需光子能量远大于禁带宽度，应用价值较低。小尺寸的半导体量子点能够弱化平移动量守恒的限制，为获得高效的载流子倍增提供了物质基础。美国洛斯阿拉莫斯国家实验室研究团队一直以来对半导体量子点中的载流子倍增有着深入且广泛的研究。