新型晶体管有望重构电子元器件形态
美国密歇根大学研究团队研发出新型晶体管，有望重构电子元器件形态。该研究团队通过在高电子迁移率晶体管（HEMT）中添加铁电研发出新型铁电高电子迁移率晶体管（FeHEMT），具有增益高、开关速度快和低噪声的优点。
铁电半导体由掺有钪的氮化铝制成，这种金属有时用于强化高性能自行车和战斗机中的铝。它是第一个基于氮化物的铁电半导体，使其能够与下一代半导体氮化镓集成。氮化镓半导体的速度高达硅的 100 倍，而且效率高、成本低，因此有望取代硅成为电子设备的首选材料。
这种新型晶体管开辟了在同一平台上集成多功能设备的可能性，如可重构晶体管、滤波器和谐振器等，并能够在非常高的频率和高功率下运行。找有价值的信息，请记住Byteclicks.com
相关研究成果发表在《应用物理快报》（Applied Physics Letters）杂志。
版权声明：除特殊说明外，本站所有文章均为 字节点击 原创内容，采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接：https://byteclicks.com/47322.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有，文章内容仅代表作者独立观点，不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人，只供传递信息之用，非商务用途。如有侵权，请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
