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高性能光电子集成电路(PIC)的大规模量产

欧盟创新计划资助PLASMOfab已经顺利完成,PLASMOfab的主要目标是满足对低能耗,小尺寸,高复杂性和高性能光电子集成电路PIC大规模量产不断增长的需求。目前已经开发出一种革命性的但兼容CMOS的制造平台,以实现有源等离子体与光子和电子组件的无缝共集成。

该研究项目极大地推动了PIC和CMOS兼容等离子激元技术的发展,这些等离子技术适用于即时数据应用的光学数据通信和生物传感。PLASMOfab已开发出与CMOS兼容的等离激元,以在批量生产中将先进的PIC与电子IC整合在一起。该项目的重点是与CMOS兼容的金属和光子结构,这些金属和光子结构使用标准化的CMOS工艺与电子设备谐波共集成。

该项目的一项重要成就是开发了突破性的超紧凑型等离子发射器,其占地面积为90 x 5.5 µm²,可通过4个单独的0.2 TBit / s发射器发射0.8 TBit / s(800Gbit / s)。该项目还展示了以尽可能低的损失CMOS兼容的等离子体波导,相关研究发表在自然科学报告上。

作为PLASMOfab研究结果,已经成立了两家新公司将新技术商业化:

  • 通过将等离子传感器与集成Si3N4光子功能,电控,生物功能化技术和微流控技术相结合,bialoom Ltd将进一步探索多通道和高灵敏度即时诊断中的等离子光子生物传感器
  • Polariton Technologies Ltd.专门研究用于测试,传感和电信市场的新光子和电子技术。其节能高效且超小等离激元调制器会将微波信号转换为光信号。

预计通过CMOS制造工艺和光子技术进一步开发与CMOS兼容的等离激元组件,将证明等离子在PIC中具有明显的优势。当等离子,光子和电子领域的三个世界中精华融合在一个集成平台中时,将实现具有空前性能和功能的PIC,以满足多样化的应用和工业需求,同时满足批量生产的需求。

高性能光电子集成电路(PIC)的大规模量产

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