日本研究人员开发出零磁化的半金属材料
日本东北大学（Tohoku University）的研究人员合成了一种零磁化的半金属材料。半金属材料可以显著提高电子设备的性能，其自旋极化率高达100%，电子在一个自旋方向上呈现金属性，而在另一个方向上呈现绝缘性或半导体性，且大多数半金属材料具有铁磁性。
研究人员创造了一种由铁、铬和硫组成的化合物，该材料在低温下完全失去磁化，具有优异的性能。
相关研究成果发表在《科学报告》（Scientific Reports）期刊上。获 取 更多前沿科技 研究 进展访问：https://byteclicks.com
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