美空军GaN项目新进展：BAE加快研发氮化镓（GaN）雷达

BAE系统公司的FAST实验室正处于与空军研究实验室（AFRL）签订的一项氮化镓（GaN）多年研发项目的第3阶段，继续推进对国防至关重要的毫米波GaN半导体技术的发展，以支持关键下一代雷达，电子战和通信。GaN技术可满足国防部对低成本、高性能放大器技术的独特需求。

项目目标

在该多阶段项目中，阶段1重点是将技术从AFRL过渡到BAE的制造厂，阶段2是使技术成熟并扩展到6英寸晶圆以降低单个芯片成本。第3阶段与第2阶段同时运行，扩展了该技术，并首次为更广泛的社区提供技术使用权限，以开发用于下一代应用的高性能集成电路。

 第3阶段目标

第3阶段包括政府资助的挑战，利用BAE系统公司的制造厂和专业知识，它将对来自产业界和大学的非传统团队开放使用权限，以在更广泛的群体中获得GaN的设计多样性和经验。扩大可以获取GaN并使用该技术开发应用的组织范围，将成倍地加快该关键技术的被采用。

 自评

BAE系统公司FAST射频、电子战和先进电子产品线总监Chris Rappa表示：“AFRL的GaN项目正在为先进技术开发奠定基础，该技术可能会为下一代作战人员带来关键任务新技术。通过该多年、多阶段项目和我们自己的内部投资，我们已经看到了价值超过1500万美元的技术和设施更新，这些更新可以实现进一步的增长和能力提升，助力实现创建更多位于美国、可信赖的下一代卓越技术中心的目标。” 

补充信息

GaN项目是BAE系统公司国防电子研发，开放式代工服务的一部分，并以最近宣布的T-MUSIC奖和MATRIC技术的成功为基础。 BAE系统公司正在位于新罕布什尔州纳舒厄的70,000平方英尺的微电子中心（MEC）中研究和推进包括GaN在内的世界一流的微电子技术。自2008年以来，MEC一直是美国国防部认可的1A类可信供应商，并为重要的国防部项目批量生产集成电路。 美国国防部在美国本土发展该专业知识和能力是美国国防部为建立可信、基于美国的关键先进电子能力供应所做的持续努力的一部分。 

延伸阅读

2016年11月，BAE系统公司推出MATRIC芯片，旨在满足未来通信、电子战和信号情报系统的需求，并易于在战场重新配置。MATRIC由DARPA自适应射频技术（ART）项目提供资金支持，并发展成熟。ART项目旨在提高无线电设备中所用硬件，这些硬件可以在一定的环境和操作条件下进行自我配置。（详情参阅于此）