本田研究人员合成纳米带，可以实现更节能的量子设备
美国本田研究所 (HRI-US) 的科学家们合成了原子级薄的纳米带——原子级厚度、带状材料——这对量子电子学的未来具有广泛的影响。
HRI-US 对由单层或双层原子构成的超窄二维材料的合成证明了将这些二维材料的宽度控制在亚 10 纳米（10 -9米）的能力，从而导致量子与使用当前方法生长的那些相比，在更高温度下的运输行为。科学家团队与来自哥伦比亚大学和莱斯大学以及橡树岭国家实验室的合作者共同撰写了一篇发表在《科学进展》上的开放获取论文，描述了这项工作。
HRI-US 的技术有可能将量子计算和量子传感等带到比目前使用的材料所需的温度更高的温度。迄今为止，常见的制造方法主要依赖于诸如纳米光刻之类的技术，这些技术打印或蚀刻纳米级结构。相比之下，HRI-US 科学家开发了一种方法，通过使用镍纳米粒子控制二维材料（如二硫化钼）的宽度，从而可控地生长材料。结果是宽度比传统方法合成的宽度窄得多。
由 HRI-US 研究人员生长的超窄（约 7-8 纳米）二维材料证明了量子电子传输，称为库仑阻塞振荡，温度约为 60 K（-213 ˚C），约高 15 倍。那些通过常规方法合成的材料大约或低于 4 K (269 ˚C)，为更节能的量子设备铺平了道路。获取更多前沿科技 研究进展 访问：https://byteclicks.com
双层 MoS 2带双向生长的示意图
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