SiC

美国主要汽车产业芯片材料供应商Coherent已吸引了四家日本企业集团日立、Denso、三菱和住友电工对其碳化硅（SiC）业务的投资兴趣，估值高达50亿美元。

NoMIS Power荣获美国空军研究实验室(AFRL)提供的资金，这是NoMIS Power最新的重大里程碑，这笔资金将用于开发坚固耐用的碳化硅(SiC)功率器件，从而为飞机电力系统提供支持。

汽车供应商Bosch、英飞凌和Onsemi加强了它们在新兴市场的大功率碳化硅（SiC）半导体市场的地位，这对于更快的电动汽车充电系统至关重要。

STMicroelectronics发布了用于电动汽车的大功率模块，可提高性能和续驶里程。ST 的新型碳化硅 (SiC) 功率模块已被现代的 E-GMP 电动汽车平台选用，该平台与起亚 EV6 和多款车型共享。

全球的制造商正在加速碳化硅（SiC）的制造，目前预计这一成长将从2024年开始真正起飞。

为了扩大在SiC半导体的优势，意法半导体（STMicroelectronics）宣布，将在瑞典Norrköping工厂制造出首批采用8吋晶圆的SiC芯片，以让其可用于生产下一代雏型的功率产品。对于意法半导体来说，将SiC晶圆升级到8吋晶圆标志著其未来在汽车和工业客户上能巩固其地位。

功率电子和汽车的需求不断成长，使得化合物半导体的前景逐步看俏。毕竟，SiC与GaN在较少的功率消耗下，具有较高的效率，已经成为航空太空、军事和国防，以及汽车等领域，趋之若鹜的技术。

随着电动车成为主流后，无论是改善其动力传动系统的尺寸和效率、可充电的速度以及充满电可行驶的距离，SiC逆变器都扮演关键要素。

由于，目前硅半导体已达到物理极限，若要在硅基功率元件(如Si-MOSFET等)高耐压、耐高温、降低单位面积阻抗等参数作大幅改善，则需要采用宽能隙半导体材料如SiC(碳化硅)或GaN来替代。其中，SiC半导体的宽能隙(band gap)比现有的硅半导体宽3倍以上，可以承受10倍以上的电压，多用于在电动车逆变器（inverter）、车载充电器、太阳能变流器和工业设施中。

三菱电机日前宣布推出基于新开发SiC芯片的第二代碳化硅(SiC)功率模块，据预测，该模块将带动包括变速驱动在内的各工业领域的小型、轻量、高效电力电子设备的开发。

工程材料和光电组件制造商II-VI已获得通用电气（General Electric）的SiC技术许可，以期进入功率器件和模块制造。就像II-VI在SiC晶圆市场上的主要竞争对手一样，美国的Cree / Wolfspeed和日本的Rohm Group Company（包括SiCrystal）也一样，新的许可能通过电动汽车和混合电动汽车（EV / HEV）应用的快速发展，推动SiC基电力电子产品的市场需求。

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的供应商正在推出新规格产品。但在使用这些器件前，必须证明是可靠。与以前的产品一样，供应商很快会说新器件是可靠的，尽管有时会出现GaN和SiC带来的问题。此外，这些器件可靠性要求对汽车等最新关键应用也变得越来越具有挑战性。为了应对挑战，这些器件可能需要更多甚至新的可靠性测试方法。

根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示，由于混合动力和电动汽车（HEV）、电源和光伏（PV）逆变器的需求，预计到2020年底，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的全球市场将增长到8.54亿美元，然后在2021年超过10亿美元。未来十年的收入将以两位数的年增长率增长，到2029年将超过50亿美元。