
物理所等构筑出20纳秒写入/擦除时间超快非易失存储器
发展高性能存储器件在现代电子学的革新中扮演关键角色。在海量数据存储和超快数据处理的需求驱动下,发展超快非易失性存储器件势在必行。当前,存储领域面临的主要问题:操作速度慢、数据保持时间短、数据维持性差、擦除/写入比低等。
发展高性能存储器件在现代电子学的革新中扮演关键角色。在海量数据存储和超快数据处理的需求驱动下,发展超快非易失性存储器件势在必行。当前,存储领域面临的主要问题:操作速度慢、数据保持时间短、数据维持性差、擦除/写入比低等。