集成存储计算

东京工业大学的研究人员报告称，一种处理单元和存储器的三维集成技术实现了全世界最高的性能，为更快、更高效的计算铺平了道路。这种名为“BBCube 3D”的创新堆叠架构实现了比最先进的存储器技术更高的数据带宽，同时也最大限度地减少了位访问所需的能量。

磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。

复旦大学微电子学院周鹏教授团队针对当下系统存算分离的能效瓶颈难题，发现了新型二维铁电半导体在集成电路领域的应用方案，实现了铁电存储计算技术的原始创新，提供了发展存算融合系统的器件范式。