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金属氧化物半导体材料

新材料 最前沿
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展

最近,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展,采用新发展的电子-质子协同掺氢策略,实现了类金属的超高自由载流子浓度,从而获得强且可调的等离激元效应。