超导存储器

磁阻式RAM（MRAM）是针对广泛的商业可用性之中的几种新型的非挥发性存储(NVM)技术之一，但是要将MRAM设计到芯片和系统中，并不像其他类型的存储器那么简单。简单来说，MRAM必须针对其预期目的进行相关调整。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒、王镇提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系。